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盖世汽车讯 现有光电探测器中使用的硅半导体光响应度较低，而二维半导体 MoS?由于厚度过薄，难以通过掺杂工艺控制其电学性质，从而限制了高性能光电探测器的实现。 据外媒报道，韩国科学技术研究院的一个研究团队克服了这一技术限制，开发出了世界上性能最高的自供电光电探测器，该探测器在有光源的环境下无需电力即可运行。这为可穿戴设备、生物信号监测、物联网设备、自动驾驶汽车和机器人等在有光源的环境下实现无电池精确传感奠定了基础。 该自供电光电探测器由电气工程学院Kayoung Lee教授的研究团队研发，其灵敏度比现有产品高出20倍，达到了迄今为止同类技术的最高性能水平。该成果发表在《Advanced Functional Materials》期刊上。 该团队通过引入“范德华底电极”，使半导体无需掺杂即可对电信号极其敏感，从而制备出一种能够在有光环境下，甚至在没有电能供应的情况下自行产生电信号的PN结结构光电探测器。 声明：本网转发此文章，旨在为读者提供更多信息资讯，所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问，请与有关方核实，文章观点非本网观点，仅供读者参考。 |
